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梁駿吾院士工作站是由云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司、下屬子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司和中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所共同建站，依托鑫耀公司的《磷化銦單晶及晶片生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》項(xiàng)目。針對(duì)我國(guó)磷化銦單晶產(chǎn)業(yè)發(fā)展存在的關(guān)鍵技術(shù)難題，開(kāi)展2-4英寸磷化銦多晶合成、磷化銦單晶生長(zhǎng)和開(kāi)盒即用磷化銦晶片加工工藝技術(shù)的應(yīng)用研究。

針對(duì)我國(guó)磷化銦單晶產(chǎn)業(yè)發(fā)展存在的關(guān)鍵技術(shù)難題，采用世界先進(jìn)的VGF法（垂直梯度凝固法）生長(zhǎng)磷化銦單晶，自主研發(fā)晶片加工工藝方法，重點(diǎn)解決2-4英寸VGF法單晶生長(zhǎng)工藝中的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、最佳生長(zhǎng)參數(shù)確定、位錯(cuò)密度控制等關(guān)鍵問(wèn)題和開(kāi)盒即用晶片加工工藝中的化學(xué)拋光液、化學(xué)與機(jī)械拋光平衡，拋光速度與質(zhì)量平衡，晶片表面光潔度等核心參數(shù)的確定問(wèn)題。